Основные различия полупроводниковых транзисторов

  • Основные различия полупроводниковых транзисторов    Знаете ли вы, чем отличаются германиевые полупроводниковые транзисторы от кремниевых? Возможно, что-то вам известно, но насколько вы правы?

    Начнем с простого. Рабочая область напряжений базового перехода в режимах А и В находится в пределах 0,1-0,4 В для германиевых, а для кремниевых транзисторов границы смещаются от 0,4 до 1,2 В. То есть при замене германиевого транзистора кремниевым, транзистор окажется закрытым и ток через него протекать не будет. При обратной замене транзисторов ток через германиевый транзистор может превысить допустимое значение. Обратный ток коллектора германиевых транзисторов превышает тот же параметр кремниевых транзисторов в сотни раз. Температурный диапазон стабильной работы германиевых транзисторов гораздо уже (от -20 до +50, против -40 …+85 у кремниевых). Преимущество у германиевых транзисторов все же есть – возможность работы при низких напряжениях питания начиная от 0,5 В. Меньшие токи утечки кремниевых транзисторов позволяют создавать схемы с высоким входным сопротивлением, хотя на высоких частотах уровень шумов германиевых транзисторов ниже.

    Тэги: Транзисторы, полупроводниковые, кремниевые