Высокочастотный диод 2Д401В

Технические характеристики высокочастотного диода 2Д401В


  • Схема высокочастотного диода 2Д401В

    Рисунок 1 - Схема высокочастотного диода 2Д401В
    Диод
    (цоколевка)
    Uоб/Uимп
    В/В
    Iпр/Iимп
    мА/мА
    Uпр/Iпр
    В/мА
    Cд/Uд
    пф/В
    Io(25)Ioм
    мкА/мкА
    Fmax
    МГц
    P/Pт
    Вт/Вт
    2Д401В 100/ 30/90 1.2/5 1.0/5 5/100 100  
  • Область применения: для детектирования ВЧ сигналов
  • Условные обозначения электрических параметров высокочастотного диода 2Д401В:

    Обозначение: Параметр
    Uоб/Uимп В/В максимально допустимое постоянное (Uоб) или импульсное (Uимп) обратное напряжение на диоде.
    Iпр/Iимп мА/мА максимально допустимый постоянный (Iпр) или импульсный (Iимп) прямой ток через диод.
    Uпр/Iпр В/мА максимальное падение напряжения (Uпр) на диоде при заданном прямом токе (Iпр) через него.
    Cд/Uд пф/В емкость диода (Cд) и напряжение на диоде (Uд), при котором она измеряется.
    Io(25)Ioм мкА/мкА обратный ток диода при предельном обратном напряжении. Приводится для температуры +25 (Iо(25)) и максимальной рабочей температуры (Iом).
    Fmax МГц максимальная рабочая частота диода.
    P/Pт Вт/Вт максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на диоде (P) и на диоде с теплоотводом (Pт).

    * Если приводится два значения параметра через черточку, это означает минимальное и максимальное значение.
    Значение со звездочкой (*) приводится для импульсного режима.
    Параметр, помеченный буквой "т" означают, что приводится типовое значение.