Импульсный диод 2ДС630А

Технические характеристики импульсного диода 2ДС630А


  • Схема импульсного диода 2ДС630А

    Рисунок 1 - Схема импульсного диода 2ДС630А
    Диод
    (цоколевка)
    Uоб/Uимп
    В/В
    Iпр/Iим
    мА/мА
    Tв/Qпк(Iп/Uо)
    нс/пк
    (мА/В)
    Cд/Uд
    пф/В
    Uпр/Iпр
    В/мА

    мкА
    2ДС630А 50/ 100/200   5.5/0 1.2/30  
  • Область применения: диоды с накоплением заряда для формирования импульсов субнаносекундного диапазона
  • Условные обозначения электрических параметров импульсного диода 2ДС630А:

    Обозначение: Параметр
    Uоб/Uимп В/В максимально допустимое постоянное (Uоб) или импульсное (Uимп) обратное напряжение на диоде.
    Iпр/Iим мА/мА максимально допустимый постоянный (Iпр) или импульсный (Iимп) прямой ток через диод.
    Tв/Qпк(Iп/Uо) нс/пк (мА/В) время восстановления (Твос) обратного сопротивления диода или заряд (Qпк) для его переключения при заданном прямом токе (Iп) и обратном напряжении (Uо).
    Cд/Uд пф/В емкость диода (Cд) и напряжение на диоде (Uд), при котором она измеряется.
    Uпр/Iпр В/мА максимальное падение напряжения (Uпр) на диоде при заданном прямом токе (Iпр) через него.
    Iо мкА обратный ток диода при предельном обратном напряжении. Приводится для температуры +25 (Iо(25)) и максимальной рабочей температуры (Iом).

    * Если приводится два значения параметра через черточку, это означает минимальное и максимальное значение.
    Значение со звездочкой (*) приводится для импульсного режима.
    Параметр, помеченный буквой "т" означают, что приводится типовое значение.