Биполярные транзисторы 125НТ1-166НТ1

Справочная информация о биполярных транзисторах серии 125НТ1-166НТ1 с иллюстрациями и подробными характеристиками

  • Технические характеристики биполярных транзисторов 125НТ1-166НТ1

    Транзистор B1-B2/Iк
    /мА

    МГц
    Cк/Uк
    пф/В
    Cэ/Uэ
    пф/В

    нс
    Uкэ/(Iк/Iб)
    В/(мА/мА)
    Uкб
    В
    Uкэ/R
    В/Ом
    Uэб
    В
    Iкм/Iкн
    А/А
    Iбм
    А
    Pк/Pт
    Вт/Вт
    Rпк
    C/Вт
    Пер
    125НТ1 30-150/200 200 15/10 50/0 100 1.0(400/80) 45 45/1к 4 0.4/0.8   0.4/ 218с NPN
    125НТ1А 30-150/200 200 15/10 50/0 200 1.0(400/80) 45 45/1к 4 0.4/0.8   0.4/ 218с NPN
    166НТ1А             5(5/2) 300 250/1к   0.01/   0.1/  
  • Условные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов: 125НТ1-166НТ1

    Обозначение: Параметр
    B1-B2/Iк /мА статический коэффициент передачи тока
    Fт МГц предельная частота коэффициента передачи тока
    Cк/Uк пф/В емкость коллекторного перехода (Cк) и напряжение на коллекторе (Uк), при котором она измеряется
    Cэ/Uэ пф/В емкость эмиттерного перехода (Cэ) и напряжение эмиттер/база (Uэ), при котором она измеряется
    tр нс  
    Uкэ/(Iк/Iб) В/(мА/мА) напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Uкэ) биполярного транзистора при заданном токе коллектора (Iк) и заданном токе базы (Iб)
    Uкб В максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
    Uкэ/R В/Ом максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) при заданной величине сопротивления, включенного между базой и эмиттером (R)
    Uэб В максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
    Iкм/Iкн А/А предельно допустимый постоянный (Iкм) ток коллектора предельно допустимый ток коллектора в режиме насыщения (Iкн)или в импульсе
    Iбм А предельно допустимый постоянный ток базы
    Pк/Pт Вт/Вт максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе без теплоотвода (Pк) и с теплоотводом (Pт).
    Rпк C/Вт тепловое сопротивление перехода коллектор-корпус транзистора
    Пер  

    * Если приводится два значения параметра через черточку, это означает минимальное и максимальное значение.
    Значение со звездочкой (*) приводится для импульсного режима.
    Параметр, помеченный буквой "т" означают, что приводится типовое значение.
  • Область применения биполярных транзисторов: 125НТ1-166НТ1

    Биполярный транзистор – полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов. В отличие от полевого (униполярного) транзистора, в работе биполярного транзистора участвуют два типа носителей заряда – это электроны и дырки. Такой транзистор имеет три электрода: база - подключённый к центральному слою, коллектор и эмиттер, подключенные к внешним слоям.