Полевая сборка 504НТ3В

Технические характеристики полевой сборки 504НТ3В


  • Схема полевой сборки 504НТ3В

    Рисунок 1 - Схема полевой сборки 504НТ3В
    Транзистор S1-S2/I(U)
    мсим/мА(В)
    I01-I02/U,
    мА/В

    нА
    Cвх,
    пф
    Cпр,
    пф
    S1/S2 I01/
    I02

    В
    Uзс,
    В
    Uзи,
    В
    Uси,
    В
    P,
    мвт
    Тип Канал Есм0
    мВ
    Eдр
    мкВ/град
    504НТ3В 5.0- / 10-20 2 17 4 0.85 0.85 -5 10 10     P-N N 30 50/90%
  • Условные обозначения электрических параметров полевой сборки 504НТ3В

    Обозначение: Параметр
    S1-S2/I(U) мсим/мА(В) крутизна характеристики полевого транзистора (минимальное и максимальное значения) измеряемые при заданном токе стока (I) или при заданном напряжении на стоке (U).
    I01-I02/U, мА/В начальный ток стока полевого транзистора (минимальное и максимальное значения) и напряжение на стоке, при котором это значение измеряется.
    Iз нА ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке и напряжение между стоком и затвором, при котором измеряется ток утечки.
    Cвх, пф входная емкость полевого транзистора. C11=Cзи+Cзс.
    Cпр, пф проходная емкость полевого транзистора. C12=Cзс.
    S1/S2 Соотношение максимальной крутизны полевых транзисторов в сборке
    I01/ I02 Соотношение начальных токов стока полевых транзисторов в сборке
    Uо В напряжение отсечки (U0) полевого транзистора
    Uзс, В максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и стоком.
    Uзи, В максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и истоком.
    Uси, В максимально допустимое постоянное напряжение между стоком и истоком.
    P, мвт максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе.
    Тип  
    Канал  
    Есм0 мВ  
    Eдр мкВ/град  

    * Если приводится два значения параметра через черточку, это означает минимальное и максимальное значение.
    Значение со звездочкой (*) приводится для импульсного режима.
    Параметр, помеченный буквой "т" означают, что приводится типовое значение.