Биполярные транзисторы ГТ402-ГТ406

Справочная информация о биполярных транзисторах серии ГТ402-ГТ406 с иллюстрациями и подробными характеристиками

  • Технические характеристики биполярных транзисторов ГТ402-ГТ406

    Транзистор B1-B2/Iк
    /мА

    МГц
    Iко
    мкА
    Uкэ/(Iк/Iб)
    В/(мА/мА)
    Uкб
    В
    Uкэ/R
    В/кОм
    Uэб
    В
    Iкм/Iкн
    А/А
    Pк/Pт
    Вт/Вт
    Пер
    ГТ402А 30- 80/3 1 25     25/0.2   0.5/ 0.6/ PNP
    ГТ402Б 60-150/3 1 25         25/0.2    
    ГТ402В 30- 80/3 1 25         40/0.2    
    ГТ402Г 60-150/3 1 25         40/0.2    
    ГТ402Д 30- 80/3 1 25         25/0.2    
    ГТ402Е 60-150/3 1 25         25/0.2    
    ГТ402Ж 30- 80/3 1 25         40/0.2    
    ГТ402И 60-150/3 1 25     40/0.2   0.5/ 0.6/ PNP
    ГТ403А 20- 60/100     0.5(500/50) 45 30/ 20 1.25/ 0.6/4 PNP
    ГТ403Б 50-150/100         0.5(500/50) 45 30/ 20 1.25/
    ГТ403В 20- 60/100         0.5(500/50) 60 45/ 20 1.25/
    ГТ403Г 50-150/100         0.5(500/50) 60 45/ 20 1.25/
    ГТ403Д 50-150/100         0.5(500/50) 60 45/ 20 1.25/
    ГТ403Е 30-/100         0.5(500/50) 60 45/ 20 1.25/
    ГТ403Ж 20- 60/100         0.5(500/50) 80 60/ 20 1.25/
    ГТ403И 30-/100         0.5(500/50) 80 60/ 20 1.25/
    ГТ403Ю 30- 60/100     0.5(500/50) 45 30/ 20 1.25/ 0.6/4 PNP
    ГТ404А 30- 80/3 1 25     25/0.2   0.5/ 0.6/ NPN
    ГТ404Б 60-150/3 1 25         25/0.2    
    ГТ404В 30- 80/3 1 25         40/0.2    
    ГТ404Г 60-150/3 1 25     40/0.2   0.5/ 0.6/ NPN
    ГТ405А 30- 80/3 1 25     25/0.2   0.5/ 0.6/ PNP
    ГТ405Б 60-150/3 1 25         25/0.2    
    ГТ405В 30- 80/3 1 25         40/0.2    
    ГТ405Г 60-150/3 1 25     40/0.2   0.5/ 0.6/ PNP
    ГТ406А 50-150/100   50 0.5(500/50) 25   20 1.25/ 0.6/4 PNP
  • Условные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов: ГТ402-ГТ406

    Обозначение: Параметр
    B1-B2/Iк /мА статический коэффициент передачи тока
    Fт МГц предельная частота коэффициента передачи тока
    Iко мкА обратный ток коллектора
    Uкэ/(Iк/Iб) В/(мА/мА) напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Uкэ) биполярного транзистора при заданном токе коллектора (Iк) и заданном токе базы (Iб)
    Uкб В максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
    Uкэ/R В/кОм максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) при заданной величине сопротивления, включенного между базой и эмиттером (R)
    Uэб В максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
    Iкм/Iкн А/А предельно допустимый постоянный (Iкм) ток коллектора предельно допустимый ток коллектора в режиме насыщения (Iкн)или в импульсе
    Pк/Pт Вт/Вт максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе без теплоотвода (Pк) и с теплоотводом (Pт).
    Пер  

    * Если приводится два значения параметра через черточку, это означает минимальное и максимальное значение.
    Значение со звездочкой (*) приводится для импульсного режима.
    Параметр, помеченный буквой "т" означают, что приводится типовое значение.
  • Область применения биполярных транзисторов: ГТ402-ГТ406

    Биполярный транзистор – полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов. В отличие от полевого (униполярного) транзистора, в работе биполярного транзистора участвуют два типа носителей заряда – это электроны и дырки. Такой транзистор имеет три электрода: база - подключённый к центральному слою, коллектор и эмиттер, подключенные к внешним слоям.