Биполярный транзистор ГТ404А

Технические характеристики биполярного транзистора ГТ404А


  • Схема биполярного транзистора ГТ404А

    Рисунок 1 - Схема биполярного транзистора ГТ404А
    Транзистор B1-B2/Iк
    /мА

    МГц
    Iко
    мкА
    Uкэ/(Iк/Iб)
    В/(мА/мА)
    Uкб
    В
    Uкэ/R
    В/кОм
    Uэб
    В
    Iкм/Iкн
    А/А
    Pк/Pт
    Вт/Вт
    Пер
    ГТ404А 30- 80/3 1 25     25/0.2   0.5/ 0.6/ NPN
  • Область применения: для выходных каскадов УНЧ
  • Условные обозначения электрических параметров биполярного транзистора ГТ404А

    Обозначение: Параметр
    B1-B2/Iк /мА статический коэффициент передачи тока
    Fт МГц предельная частота коэффициента передачи тока
    Iко мкА обратный ток коллектора
    Uкэ/(Iк/Iб) В/(мА/мА) напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Uкэ) биполярного транзистора при заданном токе коллектора (Iк) и заданном токе базы (Iб)
    Uкб В максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
    Uкэ/R В/кОм максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) при заданной величине сопротивления, включенного между базой и эмиттером (R)
    Uэб В максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
    Iкм/Iкн А/А предельно допустимый постоянный (Iкм) ток коллектора предельно допустимый ток коллектора в режиме насыщения (Iкн)или в импульсе
    Pк/Pт Вт/Вт максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе без теплоотвода (Pк) и с теплоотводом (Pт).
    Пер  

    * Если приводится два значения параметра через черточку, это означает минимальное и максимальное значение.
    Значение со звездочкой (*) приводится для импульсного режима.
    Параметр, помеченный буквой "т" означают, что приводится типовое значение.