Полевой транзистор КП101Г

Технические характеристики полевого транзистора КП101Г


  • Схема полевого транзистора КП101Г

    Рисунок 1 - Схема полевого транзистора КП101Г
    Транзистор S1-S2/I(U),
    мсим/мА(В)
    I01-I02/U,
    мА/В
    Cвх,
    пф
    Cпр,
    пф
    Uзи/Iс(U0),
    В/mА(В)
    Uзс,
    В
    Uзи,
    В
    Uси,
    В
    P,
    мвт
    Пров/
    Канал
    КП101Г 0.15- / 5 0.15-2.0/5 12   ( -5.0) 10 10 10 50 P-N/P
  • Условные обозначения электрических параметров полевого транзистора КП101Г

    Обозначение: Параметр
    S1-S2/I(U), мсим/мА(В) крутизна характеристики полевого транзистора (минимальное и максимальное значения) измеряемые при заданном токе стока (I) или при заданном напряжении на стоке (U).
    I01-I02/U, мА/В начальный ток стока полевого транзистора (минимальное и максимальное значения) и напряжение на стоке, при котором это значение измеряется.
    Cвх, пф входная емкость полевого транзистора. C11=Cзи+Cзс.
    Cпр, пф проходная емкость полевого транзистора. C12=Cзс.
    Uзи/Iс(U0), В/mА(В) напряжение отсечки (U0) полевого транзистора или напряжение затвор-исток (Uзи) при заданном токе стока (Iс).
    Uзс, В максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и стоком.
    Uзи, В максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и истоком.
    Uси, В максимально допустимое постоянное напряжение между стоком и истоком.
    P, мвт максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе.
    Пров/ Канал  

    * Если приводится два значения параметра через черточку, это означает минимальное и максимальное значение.
    Значение со звездочкой (*) приводится для импульсного режима.
    Параметр, помеченный буквой "т" означают, что приводится типовое значение.