Полевые транзисторы КП150-КП640

Справочная информация о полевых транзисторах серии КП150-КП640 с иллюстрациями и подробными характеристиками

  • Технические характеристики полевых транзисторов КП150-КП640

    Транзистор S1-S2/I(U)
    мсим/А(В)
    Iз/Uз
    нА/В
    Cвх,
    пф
    Cпр,
    пф
    Cвых
    пф
    Uзи,
    В
    Uси,
    В

    А
    P,
    Вт
    Тип/
    Канал
    КП150 13000-/25 100/20 2800 280т 1100 20 100 38/140 150 МДП/N
    КП240 6900-/11 100/20 1300 130т 400т 20 200 18/72 125 МДП/N
    КП250 12000-/18 100/20 2800 250т 780т 20 200 30/120 150 МДП/N
    КП340 7700-/6 100/20 1400 130т 400т 20 400 10/38 125 МДП/N
    КП350 10000-/25 100/20 2600 250т 660т 20 400 14/56 150 МДП/N
    КП440 5300-/5 100/20 1300 120т 310т 20 500 8/30 125 МДП/N
    КП450 9300-/7.75 100/20 2600 340т 720т 20 500 12/52 150 МДП/N
    КП460 12000-/12 100/20 3600т 390т 440т 20 500 20/80 280 МДП/N
    КП510 1300-/3.4 100/20 180т 15т 81т 20 100 6/20 43 МДП/N
    КП520 2700-/3.4 100/20 360т 34т 150т 20 100 9/37 60 МДП/N
    КП530 5100-/3.4 100/20 670т 60т 250т 20 100 14/56 88 МДП/N
    КП540 8700-/3.4 100/20 1700 120т 560т 20 100 28/110 150 МДП/N
    КП610 800-/3.4 100/20 140т 15т 53т 20 200 3.3/10 36 МДП/N
    КП620 1500-/3.4 100/20 260т 30т 100т 20 200 5.2/18 50 МДП/N
    КП630 3800-/3.4 100/20 950т 76т 290т 20 200 9/36 74 МДП/N
    КП640 6700-/11 100/20 1600 130т 430т 20 200 18/72 125 МДП/N
  • Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов: КП150-КП640

    Обозначение: Параметр
    S1-S2/I(U) мсим/А(В) крутизна характеристики полевого транзистора (минимальное и максимальное значения) измеряемые при заданном токе стока (I) или при заданном напряжении на стоке (U).
    Iз/Uз нА/В ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке и напряжение между стоком и затвором, при котором измеряется ток утечки.
    Cвх, пф входная емкость полевого транзистора. C11=Cзи+Cзс.
    Cпр, пф проходная емкость полевого транзистора. C12=Cзс.
    Cвых пф выходная емкость полевого транзистора. C22=Cзс+Cзи.
    Uзи, В максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и истоком.
    Uси, В максимально допустимое постоянное напряжение между стоком и истоком.
    Iс А максимально допустимый постоянный ток стока.
    P, Вт максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе.
    Тип/ Канал  

    * Если приводится два значения параметра через черточку, это означает минимальное и максимальное значение.
    Значение со звездочкой (*) приводится для импульсного режима.
    Параметр, помеченный буквой "т" означают, что приводится типовое значение.
  • Область применения полевых транзисторов: КП150-КП640

    Полевой транзистор – полупроводниковый преобразовательный прибор, в котором происходит управление током текущий через канал, благодаря электрическому полю, возникающему при подаче напряжения между истоком и затвором. Такие транзисторы предназначены для увеличения мощности электромагнитных колебаний. Они широко применяются в ключевых и логических устройствах, в усилительных каскадах с большим входным сопротивлением и других микросхемах.