Полевые транзисторы КП501-3П608

Справочная информация о полевых транзисторах серии КП501-3П608 с иллюстрациями и подробными характеристиками

  • Технические характеристики полевых транзисторов КП501-3П608

    Транзистор S1-S2/I(U)
    мсим/мАВ
    Iз/Uз
    нА/В
    Uзс,
    В
    Uзи,
    В
    Uси,
    В

    А
    P,
    Вт
    Тип/
    Канал
    2П601А-9 50-87/10 10/15 20 15 20   1 P-N/N
    3П603А2 50-180/0.4 100мкА   3.5 8   2.5 Шоттки/N
    3П603Б2 80-180/0.4 100мкА   3.5 8   2.5 Шоттки/N
    3П604А-2 20 -40/0.1 20мкА   3 8   0.9 Шоттки/N
    3П604Б-2 15 -40/0.1 20мкА   3 8   0.9 Шоттки/N
    3П604В-2 10 -20/0.1 20мкА   3 8   0.5 Шоттки/N
    3П604Г-2 10 -20/0.1 20мкА   3 8   0.5 Шоттки/N
    3П605А-2 30 -/0.03 10мкА 8 4 6   0.45 Шоттки/N
    3П606А-2 70-150/0.25 0.5 50мкА 3.5 8   /2 Шоттки/N
    3П606Б-2 90-150/0.25 0.5 50мкА 3.5 8   /2 Шоттки/N
    3П606В-2 100-160/0.25 0.5 50мкА 3.5 8   /2 Шоттки/N
    3П607А-2 80-400/3     5 8   /3.5 Шоттки/N
    3П608А-2 15-30/0.05     3 7   /0.6 Шоттки/N
    3П608Б-2 20-60/0.1     3 7   /1.1 Шоттки/N
    3П608В-2 20-95/0.1     3 7   /1.0 Шоттки/N
    3П608Г-2 20-/0.1     3 7   /1.0 Шоттки/N
    3П608Д-2 20-/0.1     3 7   /1.0 Шоттки/N
    3П608Е-2 20-/0.1     3 7   /1.0 Шоттки/N
    АП602А-2 20-/3 300мкА   3.5 7   0.9 Шоттки/N
    АП602Б-2 20-/3 300мкА   3.5 7   0.9 Шоттки/N
    АП602В-2 20-/3 300мкА   3.5 7   0.9 Шоттки/N
    АП602Г-2 40-/3 600мкА   3.5 7.5   1.8 Шоттки/N
    АП602Д-2 40-/3 600мкА   3.5 7.5   1.8 Шоттки/N
    КП501А-В 100-/0.25 20/20   20 200 0.18 0.5 МДП/N
    КП502А 100     10 400 0.12 1.0/ МДП
    КП503А 140     20 240 0.15 1.0/ МДП
    КП504А,Б 140     10 240 0.25 1.0 МДП
    КП505А-Г 500     10 50(В-60,Г-8) 1.4 1.0(Г-0.7) МДП
    КП601А 50-87/10 10/15 20 15 20   0.5/2 P-N/N
    КП601Б 50-87/10 10/15 20 15 20   0.5/2 P-N/N
  • Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов: КП501-3П608

    Обозначение: Параметр
    S1-S2/I(U) мсим/мАВ крутизна характеристики полевого транзистора (минимальное и максимальное значения) измеряемые при заданном токе стока (I) или при заданном напряжении на стоке (U).
    Iз/Uз нА/В ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке и напряжение между стоком и затвором, при котором измеряется ток утечки.
    Uзс, В максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и стоком.
    Uзи, В максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и истоком.
    Uси, В максимально допустимое постоянное напряжение между стоком и истоком.
    Iс А максимально допустимый постоянный ток стока.
    P, Вт максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе.
    Тип/ Канал  

    * Если приводится два значения параметра через черточку, это означает минимальное и максимальное значение.
    Значение со звездочкой (*) приводится для импульсного режима.
    Параметр, помеченный буквой "т" означают, что приводится типовое значение.
  • Область применения полевых транзисторов: КП501-3П608

    Полевой транзистор – полупроводниковый преобразовательный прибор, в котором происходит управление током текущий через канал, благодаря электрическому полю, возникающему при подаче напряжения между истоком и затвором. Такие транзисторы предназначены для увеличения мощности электромагнитных колебаний. Они широко применяются в ключевых и логических устройствах, в усилительных каскадах с большим входным сопротивлением и других микросхемах.