Полевые транзисторы КП701-КП730

Справочная информация о полевых транзисторах серии КП701-КП730 с иллюстрациями и подробными характеристиками

  • Технические характеристики полевых транзисторов КП701-КП730

    Транзистор Iз/Uз
    нА/В
    Cвх,
    пф
    Cпр,
    пф
    Cвых
    пф
    Uзи/Iс(U0)
    В/mА(В)
    Uзс,
    В
    Uзи,
    В
    Uси,
    В

    А
    P,
    Вт
    Тип/
    Канал
    2П706А             510 30 500   100
    2П706Б             410 30 400   100
    2П706В             410 30 400   100
    2П712А     1800       80 20 80 10/30 50
    2П712Б     1800       100 20 100 10/30 50
    2П712В     1800       100 20 100 10/30 50
    КП701А     1200 30 140   510 25 500 5-17 40
    КП701Б     1200 30 140   410 25 400 5-17 40
    КП702А     950 7 150   310 30 300 8-16 50
    КП703А     1500 30     160 30 150 12 60
    КП703Б     1500 30     110 30 100 12 60
    КП704А-Б 1 мкА 1350 100 250   200 20 200 10/30 75 МДП/N
    КП705А     1700 20 140   1010 30 1000 5.4 125
    КП705Б     1700 20 140   810 30 800 5.4 125
    КП705В     1700 20 140   810 30 800 5.4 125
    КП707А(А1) 100мкА 1200 80 200 5   20 400 15 100 МДП/N
    КП707Б(Б1) 100мкА 1200 80 200 5   20 600 10 100 МДП/N
    КП707В(В1) 100мкА 1200 80 200 5   20 800 7 100 МДП/N
    КП707Г(Г1) 100мкА 1200 80 200 5   20 700 8 100 МДП/N
    КП707Д(Д1) 100мкА 1200 80 200 5   20 500 12 100 МДП/N
    КП707Е(Е1) 100мкА 1200 80 200 5   20 750 8 100 МДП/N
    КП710 100/20 170000 6000 34000 2-4   20 400 3/13 50 МДП/N
    КП720 100/20 490000 47000 120000 2-4   20 400 2/6 36 МДП/N
    КП723А           2-4   20 60 50 150
    КП723Б           2-4   20 60 50 150
    КП723В           2-4   20 50 50 150
    КП723Г           1-2   20 60 50 150
    КП726А           2.1-4   20 600 4.0 75
    КП726Б           2.1-4   20 600 3.6 75
    КП726В           2.1-4   20 600 3.2 75
    КП726Г           2.1-4   20 600 2.7 75
    КП727А           2.0-4   20 50 14 40
    КП727Б           2.0-4   20 60 30 88
    КП727В           1.0-2   20 60 30 88
    КП728А1           2-4   20 800 3.0 75
    КП728Б1           2-4   20 800 2.6 75
    КП728В1           2-4   20 750 3.0 75
    КП728Г1           2-4   20 700 3.0 75
    КП728Д1           2-4   20 700 3.0 75
    КП728Е1           2-4   20 600 3.3 75
    КП728Ж1           2-4   20 600 4.0 75
    КП728И1           2-4   20 550 3.0 75
    КП728К1           2-4   20 550 3.0 75
    КП728Л1           2-4   20 550 4.0 75
    КП728М1           2-4   20 550 4.0 75
    КП728Н1           2-4   20 500 4.0 75
    КП728П1           2-4   20 500 4.0 75
    КП728Р1           2-4   20 400 5.0 75
    КП730 100/20 700000 64000 170000     20 400 6/22 74 МДП/N
  • Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов: КП701-КП730

    Обозначение: Параметр
    Iз/Uз нА/В ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке и напряжение между стоком и затвором, при котором измеряется ток утечки.
    Cвх, пф входная емкость полевого транзистора. C11=Cзи+Cзс.
    Cпр, пф проходная емкость полевого транзистора. C12=Cзс.
    Cвых пф выходная емкость полевого транзистора. C22=Cзс+Cзи.
    Uзи/Iс(U0) В/mА(В) напряжение отсечки (U0) полевого транзистора или напряжение затвор-исток (Uзи) при заданном токе стока (Iс).
    Uзс, В максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и стоком.
    Uзи, В максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и истоком.
    Uси, В максимально допустимое постоянное напряжение между стоком и истоком.
    Iс А максимально допустимый постоянный ток стока.
    P, Вт максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе.
    Тип/ Канал  

    * Если приводится два значения параметра через черточку, это означает минимальное и максимальное значение.
    Значение со звездочкой (*) приводится для импульсного режима.
    Параметр, помеченный буквой "т" означают, что приводится типовое значение.
  • Область применения полевых транзисторов: КП701-КП730

    Полевой транзистор – полупроводниковый преобразовательный прибор, в котором происходит управление током текущий через канал, благодаря электрическому полю, возникающему при подаче напряжения между истоком и затвором. Такие транзисторы предназначены для увеличения мощности электромагнитных колебаний. Они широко применяются в ключевых и логических устройствах, в усилительных каскадах с большим входным сопротивлением и других микросхемах.