Полевые транзисторы КП801-КП840

Справочная информация о полевых транзисторах серии КП801-КП840 с иллюстрациями и подробными характеристиками

  • Технические характеристики полевых транзисторов КП801-КП840

    Транзистор Iз/Uз
    нА/В
    Cвх,
    пф
    Cпр,
    пф
    Cвых
    пф
    Uзи/Iс(U0)
    В/mА(В)
    Uзс,
    В
    Uзи,
    В
    Uси,
    В

    мА
    P,
    мВт
    Тип/
    Канал
    КП801А 300мкА       -25 100 35 65 5 60 P-N/N
    КП801Б 300мкА       -25 100 130 35 95 2.5 30
    КП801В 300мкА       -25 130 100 35   8 100
    КП801Г 300мкА       -25 100 40 140 8 100 P-N/N
    КП802А 10мкА       25 535 35 500 2.5 40 P-N/N
    КП802Б 10мкА       28 480 30 450 2.5 40 P-N/N
    КП803А     20 20 85 3.525 1010 30 1000   60
    КП803Б     20 20 85 4.025 810 30 800   60
    КП804А     200 25 100     20 60 1/4 2
    КП809А 100мкА 3000 220 405     20 400 25 100 МДП/N
    КП809А1 100мкА 3000 220 405     20 400 25 50 МДП/N
    КП809Б 100мкА 3000 220 405     20 500 20 100 МДП/N
    КП809Б1 100мкА 3000 220 405     20 500 20 50 МДП/N
    КП809В 100мкА 3000 220 405     20 600 15 100 МДП/N
    КП809В1 100мкА 3000 220 405     20 600 15 50 МДП/N
    КП809Г 100мкА 3000 220 405     20 700 15 100 МДП/N
    КП809Г1 100мкА 3000 220 405     20 700 15 50 МДП/N
    КП809Д 100мкА 3000 220 405     20 800 10 100 МДП/N
    КП809Д1 100мкА 3000 220 405     20 800 10 50 МДП/N
    КП809Е 100мкА 3000 220 405     20 750 8 100 МДП/N
    КП809Е1 100мкА 3000 220 405     20 750 8 50 МДП/N
    КП812А1 100/20 1900 170 920     20 60 50/200 100 МДП/N
    КП812Б1 100/20 1900 170 920     20 60 35/190 100 МДП/N
    КП812В1 100/20 1900 170 920     20 60 35/190 100 МДП/N
    КП813А-Б 100/20 2700 240 540     20 200 22/88 125 МДП/N
    КП813А1-Б1 100/20 2700 240 540     20 200 22/88 125 МДП/N
    КП820 100/20 360000 37000 92000     20 500 2.5/8 50 МДП/N
    КП830 100/20 610000 68000 160000     20 500 4.5/18 74 МДП/N
    КП840 100/20 1300 120000 310000     20 500 8/32 125 МДП/N
  • Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов: КП801-КП840

    Обозначение: Параметр
    Iз/Uз нА/В ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке и напряжение между стоком и затвором, при котором измеряется ток утечки.
    Cвх, пф входная емкость полевого транзистора. C11=Cзи+Cзс.
    Cпр, пф проходная емкость полевого транзистора. C12=Cзс.
    Cвых пф выходная емкость полевого транзистора. C22=Cзс+Cзи.
    Uзи/Iс(U0) В/mА(В) напряжение отсечки (U0) полевого транзистора или напряжение затвор-исток (Uзи) при заданном токе стока (Iс).
    Uзс, В максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и стоком.
    Uзи, В максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и истоком.
    Uси, В максимально допустимое постоянное напряжение между стоком и истоком.
    Iс мА максимально допустимый постоянный ток стока.
    P, мВт максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе.
    Тип/ Канал  

    * Если приводится два значения параметра через черточку, это означает минимальное и максимальное значение.
    Значение со звездочкой (*) приводится для импульсного режима.
    Параметр, помеченный буквой "т" означают, что приводится типовое значение.
  • Область применения полевых транзисторов: КП801-КП840

    Полевой транзистор – полупроводниковый преобразовательный прибор, в котором происходит управление током текущий через канал, благодаря электрическому полю, возникающему при подаче напряжения между истоком и затвором. Такие транзисторы предназначены для увеличения мощности электромагнитных колебаний. Они широко применяются в ключевых и логических устройствах, в усилительных каскадах с большим входным сопротивлением и других микросхемах.