Полевой транзистор КП813А-Б

Технические характеристики полевого транзистора КП813А-Б


  • Схема полевого транзистора КП813А-Б

    Рисунок 1 - Схема полевого транзистора КП813А-Б
    Транзистор Iз/Uз
    нА/В
    Cвх,
    пф
    Cпр,
    пф
    Cвых
    пф
    Uзи/Iс(U0)
    В/mА(В)
    Uзс,
    В
    Uзи,
    В
    Uси,
    В

    мА
    P,
    мВт
    Тип/
    Канал
    КП813А-Б 100/20 2700 240 540     20 200 22/88 125 МДП/N
  • Область применения: МОП транзисторы для работы на частотах до 3 МГц и выше в импульсных источниках питания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях
  • Условные обозначения электрических параметров полевого транзистора КП813А-Б

    Обозначение: Параметр
    Iз/Uз нА/В ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке и напряжение между стоком и затвором, при котором измеряется ток утечки.
    Cвх, пф входная емкость полевого транзистора. C11=Cзи+Cзс.
    Cпр, пф проходная емкость полевого транзистора. C12=Cзс.
    Cвых пф выходная емкость полевого транзистора. C22=Cзс+Cзи.
    Uзи/Iс(U0) В/mА(В) напряжение отсечки (U0) полевого транзистора или напряжение затвор-исток (Uзи) при заданном токе стока (Iс).
    Uзс, В максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и стоком.
    Uзи, В максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и истоком.
    Uси, В максимально допустимое постоянное напряжение между стоком и истоком.
    Iс мА максимально допустимый постоянный ток стока.
    P, мВт максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе.
    Тип/ Канал  

    * Если приводится два значения параметра через черточку, это означает минимальное и максимальное значение.
    Значение со звездочкой (*) приводится для импульсного режима.
    Параметр, помеченный буквой "т" означают, что приводится типовое значение.