Полевые транзисторы КП901-3П930

Справочная информация о полевых транзисторах серии КП901-3П930 с иллюстрациями и подробными характеристиками

  • Технические характеристики полевых транзисторов КП901-3П930

    Транзистор Iз/Uз
    нА/В
    Cвх,
    пф
    Cпр,
    пф
    Cвых
    пф
    Uзс,
    В
    Uзи,
    В
    Uси,
    В

    А
    P,
    Вт
    Тип/
    Канал
    2П914А 100/8 10 2.5   80 30 50 0.1 0.5/2.5 P-N/N
    2П922А     2000 1200 600 100 30 100 10/20 60
    2П922А-1 5/ 2000 1200 600 100 30 100 10/20 60 МДП/N
    2П922Б     2000 1200 600 100 30 100 10/20 60
    2П922Б-1 1/30 2000 1200 600 100 30 100 10/20 60 МДП/N
    2П922В 5/ 2000 1200 600 100 30 100 5/20 60 МДП/N
    2П922В-1 5/ 2000 1200 600 100 30 100 5/20 60 МДП/N
    2П922Г-1 5/30 2000 1200 600 100 30 100 10/20 60 МДП/N
    2П926А           475 25 450 16/30 50
    2П926Б           420 20 400 16/30 50
    2П926В           320 20 300 8 50
    2П928А     570 60 180 60 25 50 16 250
    2П928Б     570 60 180 65 25 55 16 250
    3П915А2-Б2 1000/         5 7 0.65 12 Шоттки/N
    3П925А2-Б2             5 8   /7
    АП910А-2 1000         3.5     1.5 Шоттки/N
    АП910Б-2 1000         3.5     3 Шоттки/N
    КП901А 100/15 100 10   85 30 70 4 20 МДП/N
    КП901Б 100/15 100 10   85 30 70 4 20 МДП/N
    КП902А 3/30 11 0.6 11   30 50 0.2 3.5 МДП/N
    КП902Б 3/30 11 0.6 11   30 50 0.2 3.5 МДП/N
    КП902В 3/30 11 0.8 11   30 50 0.2 3.5 МДП/N
    КП903А-В 100/15 18 15   20 15 20 0.7 65 P-N/N
    КП904А     300 7   100 30 85 5 50
    КП904Б     300 7   100 30 85 3 50
    КП905А     7 0.6 4 70 30 60 0.225 4
    КП905Б     11 0.6 4 70 30 60 0.15 4
    КП907А     20 3   70 30 60 1.7 11.5
    КП907Б     20 3   70 30 60 1.3 11.5
    КП907В     20 3   70 30 60 1.0 11.5
    КП908А     4.5 0.6   50 20 40 0.3 3.5
    КП908Б     6.5 0.6   50 20 40 0.2 3.5
    КП909А     125 6 60 60 25 50 6.5 50
    КП909Б     125 6 60 60 25 50 4 50
    КП909В     125 6 60 60 25 50 5 50
    КП911А     80     60 25 50 3-5 30
    КП911Б     80     60 25 50 2.5-4 30
    КП912А     500 16 250 110 20 100 8-20 40
    КП912Б     500 16 250 70 20 60 12-25 40
    КП913А 1000/25 390 15 190 60 25 50 14-20 100 МДП/N
    КП913Б 1000/25 390 15 190 60 25 50 10-14 100 МДП/N
    КП918А     100 3500 55000 55 20 45 6 45
    КП918Б     100 3500 55000 55 20 45 4 45
    КП920А     390 6 50 60 25 50 15 130
    КП920Б     390 6 50 60 25 50 12 130
    КП921А 50/15 1700     45 20 45 10 15 МДП/N
    КП923А 100/20 400     60 20 50 12 100 МДП/N
    КП923Б 100/20 400     60 20 50 8 100 МДП/N
    КП923В 100/20 250     60 20 50 6 50 МДП/N
    КП923Г 100/20 250     60 20 50 4 50 МДП/N
    КП934А1     210       5 450 10/15 2/40
    КП934Б1     210       5 400 10/15 2/40
    КП934В1     210       5 300 10/15 2/40
  • Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов: КП901-3П930

    Обозначение: Параметр
    Iз/Uз нА/В ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке и напряжение между стоком и затвором, при котором измеряется ток утечки.
    Cвх, пф входная емкость полевого транзистора. C11=Cзи+Cзс.
    Cпр, пф проходная емкость полевого транзистора. C12=Cзс.
    Cвых пф выходная емкость полевого транзистора. C22=Cзс+Cзи.
    Uзс, В максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и стоком.
    Uзи, В максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и истоком.
    Uси, В максимально допустимое постоянное напряжение между стоком и истоком.
    Iс А максимально допустимый постоянный ток стока.
    P, Вт максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе.
    Тип/ Канал  

    * Если приводится два значения параметра через черточку, это означает минимальное и максимальное значение.
    Значение со звездочкой (*) приводится для импульсного режима.
    Параметр, помеченный буквой "т" означают, что приводится типовое значение.
  • Область применения полевых транзисторов: КП901-3П930

    Полевой транзистор – полупроводниковый преобразовательный прибор, в котором происходит управление током текущий через канал, благодаря электрическому полю, возникающему при подаче напряжения между истоком и затвором. Такие транзисторы предназначены для увеличения мощности электромагнитных колебаний. Они широко применяются в ключевых и логических устройствах, в усилительных каскадах с большим входным сопротивлением и других микросхемах.