Полевые транзисторы КП931-КП973

Справочная информация о полевых транзисторах серии КП931-КП973 с иллюстрациями и подробными характеристиками

  • Технические характеристики полевых транзисторов КП931-КП973

    Транзистор S1-S2/I(U)
    мсим/А(В)
    I01-I02/U,
    А/В
    Iз/Uз
    нА/В
    Cвх,
    пф
    Cпр,
    пф
    Cвых
    пф
    Uзи/Iс(U0),
    В/mА(В)
    Uзс,
    В
    Uзи,
    В
    Uси,
    В

    А
    P,
    Вт
    Тип Канал
    2П941А 200-/0.5     20       41 20 36   3 МДП N
    2П941Б 600-/2     100       41 20 36   15 МДП N
    2П941В 1200-/4     200       41 20 36   30 МДП N
    2П941Г 1000-/4     200       41 20 36   30 МДП N
    2П941Д 600-/2     200       41 20 36   30 МДП N
    КП931А     Rc=0.15 Ом 3 мА/5         800 5 800 5/7 1/20 ПСИТ
    КП931Б     Rc=0.15 Ом 3 мА/5         600 5 600 5/7 1/20 ПСИТ
    КП931В     Rc=0.15 Ом 3 мА/5         450 5 450 5/7 1/20 ПСИТ
    КП932А 55-/0.15 Rc= 40 Ом 10/10 20 3     265 15 250   /10    
    КП933А 650-/2 -0.005/20 250/20 210       55 20 45 /15 160 МДП N
    КП933Б 550-/2 -0.005/20 250/20 210       55 20 45 /9 160 МДП N
    КП934А В=10-80/5 Rс< 0.1 Ом   210         5 450 10/15 2/40 ПСИТ
    КП934А-1 В=10-80/5 Rс< 0.1 Ом   210         5 450 10/15 2/40 ПСИТ
    КП934Б В=10-80/5 Rс< 0.1 Ом   210         5 400 10/15 2/40 ПСИТ
    КП934Б-1 В=10-80/5 Rс< 0.1 Ом   210         5 400 10/15 2/40 ПСИТ
    КП934В В=10-80/5 Rс< 0.1 Ом   210         5 300 10/15 2/40 ПСИТ
    КП934В-1 В=10-80/5 Rс< 0.1 Ом   210         5 300 10/15 2/40 ПСИТ
    КП936А 1000-2500/     2300         30 350 10 /75   N
    КП936Б 1000-2500/     2300         30 400 7 /75   N
    КП936В 1000-2500/     2300         30 350 10 /75   N
    КП936Г 1000-2500/     2300         30 400 7 /75   N
    КП936Д 1000-/     2300         - 300 10 /75   N
    КП936Е 1000-/     2300         30 400 7 /75   N
    КП937А В=-20-/5 Rс< 0.07 Ом           475 20 450 17/30 /50 ПСИТ
    КП938А В=-20-/5 Rс< 0.07 Ом           500 5 500 12/18 /50 ПСИТ
    КП938Б В=-20-/5 Rс< 0.07 Ом           500 5 500 12/18 /50 ПСИТ
    КП938В В=-20-/5 Rс< 0.1 Ом           450 5 450 12/18 /50 ПСИТ
    КП938Г В=-20-/5 Rс< 0.1 Ом           400 5 400 12/18 /50 ПСИТ
    КП938Д В=-20-/5 Rс< 0.1 Ом           300 5 300 12/18 /50 ПСИТ
    КП944А     Rc=0.3 Ом 10/20 700 80 360   50 20 50 15 /30 МДП
    КП944Б     Rc=0.4 Ом 10/20 700 80 700   60 20 60 10 /30 МДП
    КП945А 2300-/2 Rс< 0.10 Ом 10/20 600 150 300 1.5-4.5 50 20 50 15 /30 МДП
    КП945Б 2300-/2 Rс< 0.15 Ом 10/20 600 150 300 1.5-4.5 70 20 70 10 /30 МДП
    КП946А     Rс< 0.15 Ом 500мкА       0.7в(7а/1а)   5 500 15 40
    КП946Б     Rс< 0.15 Ом 500мкА       0.7в(7а/1а)   5 300 15 40
    КП948А     Rс< 0.15 Ом 500мкА       0.3в(2а/.4а)   5 800 5 20
    КП948Б     Rс< 0.15 Ом 500мкА       0.3в(2а/.4а)   5 800 5 20
    КП948В     Rс< 0.15 Ом 500мкА       0.3в(2а/.4а)   5 600 5 20
    КП948Г     Rс< 0.15 Ом 500мкА       0.3в(2а/.4а)   5 600 5 20
    КП951А-2 200-/     20           36 0.6 3 МДП N
    КП951Б-2 500-/     20           36 1.5 6 МДП N
    КП951В-2 200-/     20           36 3.0 15 МДП N
    КП953А     Rс< 0.06 Ом 500 мкА       1.0в(10а/2а)   7 800 15/20 50
    КП953Б     Rс< 0.06 Ом 500 мкА       0.7в(10а/2а)   7 800 15/20 50
    КП953В     Rс< 0.06 Ом 500 мкА       0.7в(10а/2а)   7 700 15/20 50
    КП953Г     Rс< 0.06 Ом 500 мкА       0.7в(10а/2а)   7 600 15/20 50
    КП953Д     Rс< 0.05 Ом 500 мкА       0.7в(10а/2а)   7 800 15/20 50
    КП954А       300 мкА       0.7в(20а/1а)     150 20 40 ПСИТ
    КП954Б       300 мкА       0.6в(20а/1а)     100 20 40 ПСИТ
    КП954В       300 мкА       0.5в(20а/1а)     60 20 40 ПСИТ
    КП954Г       300 мкА       0.4в(20а/1а)     20 20 40 ПСИТ
    КП955А       500 мкА       0.8в(25а/5а)     450 25 70 ПСИТ
    КП955Б       500 мкА       0.7в(25а/5а)     450 25 70 ПСИТ
    КП956А       100 мкА       0.2в(.5а/.05     450 2 15 ПСИТ
    КП956Б       100 мкА       0.2в(.5а/.05     450 2 15 ПСИТ
    КП957А       100 мкА       0.3в(.5а/.1)     800 1 10 ПСИТ
    КП957Б       100 мкА       0.3в(.5а/.1)     800 1 10 ПСИТ
    КП958А       500 мкА       0.2в(10а/.2)     150 30 70 ПСИТ
    КП958Б       500 мкА       0.2в(10а/.2)     100 30 70 ПСИТ
    КП958В       500 мкА       0.2в(10а/.2)     60 30 70 ПСИТ
    КП958Г       500 мкА       0.2в(10а/.2)     20 30 70 ПСИТ
    КП959А В=40-/   20 мкА       0.8в(.01/1ма   5 300 0.2 /7 ПСИТ N
    КП959Б В=40-/   20 мкА       0.8в(.01/1ма   5 250 0.2 /7 ПСИТ N
    КП959В В=40-/   20 мкА       0.8в(.01/1ма   5 200 0.2 /7 ПСИТ N
    КП960А       10 мкА       0.8в(.01/1ма     300 0.2 7 ПСИТ
    КП960Б       10 мкА       0.8в(.01/1ма     250 0.2 7 ПСИТ
    КП960В       10 мкА       0.8в(.01/1ма     200 0.2 7 ПСИТ
    КП961А       50 мкА       0.5в(4а/.2а)     250 5 10 ПСИТ
    КП961Б       50 мкА       0.5в(4а/.2а)     160 5 10 ПСИТ
    КП961В       50 мкА       0.4в(4а/.2а)     120 5 10 ПСИТ
    КП961Г       50 мкА       0.4в(4а/.2а)     60 5 10 ПСИТ
    КП961Д       50 мкА       0.4в(4а/.2а)     20 5 10 ПСИТ
    КП965А     Rс< 0.16 Ом 50 мкА           5 250 5/12 /10
    КП965Б     Rс< 0.14 Ом 50 мкА           5 160 5/12 /10
    КП965В     Rс< 0.13 Ом 50 мкА           5 120 5/12 /10
    КП965Г     Rс< 0.10 Ом 50 мкА           5 60 5/12 /10
    КП965Д     Rс< 0.10 Ом 50 мкА           5 20 5/12 /10
    КП971А     Rс< 0.04 Ом 200 мкА           5 900 25 /100
    КП971Б     Rс< 0.04 Ом 200 мкА           5 800 25 /100
    КП973А     Rс< 0.03 Ом 500 мкА           5 700 30 /100
    КП973Б     Rс< 0.03 Ом 500 мкА           5 600 30 /100
  • Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов: КП931-КП973

    Обозначение: Параметр
    S1-S2/I(U) мсим/А(В) крутизна характеристики полевого транзистора (минимальное и максимальное значения) измеряемые при заданном токе стока (I) или при заданном напряжении на стоке (U).
    I01-I02/U, А/В начальный ток стока полевого транзистора (минимальное и максимальное значения) и напряжение на стоке, при котором это значение измеряется.
    Iз/Uз нА/В ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке и напряжение между стоком и затвором, при котором измеряется ток утечки.
    Cвх, пф входная емкость полевого транзистора. C11=Cзи+Cзс.
    Cпр, пф проходная емкость полевого транзистора. C12=Cзс.
    Cвых пф выходная емкость полевого транзистора. C22=Cзс+Cзи.
    Uзи/Iс(U0), В/mА(В) напряжение отсечки (U0) полевого транзистора или напряжение затвор-исток (Uзи) при заданном токе стока (Iс).
    Uзс, В максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и стоком.
    Uзи, В максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и истоком.
    Uси, В максимально допустимое постоянное напряжение между стоком и истоком.
    Iс А максимально допустимый постоянный ток стока.
    P, Вт максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе.
    Тип  
    Канал  

    * Если приводится два значения параметра через черточку, это означает минимальное и максимальное значение.
    Значение со звездочкой (*) приводится для импульсного режима.
    Параметр, помеченный буквой "т" означают, что приводится типовое значение.
  • Область применения полевых транзисторов: КП931-КП973

    Полевой транзистор – полупроводниковый преобразовательный прибор, в котором происходит управление током текущий через канал, благодаря электрическому полю, возникающему при подаче напряжения между истоком и затвором. Такие транзисторы предназначены для увеличения мощности электромагнитных колебаний. Они широко применяются в ключевых и логических устройствах, в усилительных каскадах с большим входным сопротивлением и других микросхемах.