Биполярные транзисторы КТ501-2Т509

Справочная информация о биполярных транзисторах серии КТ501-2Т509 с иллюстрациями и подробными характеристиками

  • Технические характеристики биполярных транзисторов КТ501-2Т509

    Транзистор B1-B2/Iк
    /мА

    МГц
    Cк/Uк
    пф/В
    Cэ/Uэ
    пф/В
    Rб*Cк
    псек
    Iко
    мкА
    Uкб
    В
    Uкэ/(Iк/Iб)
    В/(мА/мА)
    Uкэ/R
    В/кОм
    Uэб
    В
    Iкм/Iкн
    А/А
    Pк/Pт
    Вт/Вт
    Пер
    2Т504А 15-100/500 20 18/10 300/0.5   100 1.0(500/100) 400 350/0.1 6 1/2 1/10 NPN
    2Т504Б 15-100/500 20 18/10 300/0.5   100 1.0(500/100) 250 200/0.1 6 1/2 1/10 NPN
    2Т505А 25-/500 20 70/10 500/0.5   100 1.8(500/100) 300 300/0.1 5 1/2 1/5 PNP
    2Т505Б 25-/500 20 70/10 500/0.5   100 1.8(500/100) 250 250/0.1 5 1/2 1/5 PNP
    2Т506А 30-150/300 10 40/5 1100/1   1000 0.6(300/30) 800 800/0.01 5 2/5 0.8/10 NPN
    2Т506Б 30-150/300 10 40/5 1100/1   200 0.6(300/30) 600 600/0.01 5 2/5 0.8/10 NPN
    2Т509А 15-100/0.1 10 3/100 25/0.5 500 5 1(0.1/0.01) 500 450/10 5 0.02/ 0.3/1 PNP
    КТ501А 20- 60/30 5 50/10 100/0.5     0.4(300/60) 15 15/10 10 0.3/0.5 0.35/ PNP
    КТ501Б 40-120/30 5 50/10 100/0.5         0.4(300/60) 15 15/10 10 0.3/0.5
    КТ501В 80-240/30 5 50/10 100/0.5         0.4(300/60) 15 15/10 10 0.3/0.5
    КТ501Г 20- 60/30 5 50/10 100/0.5         0.4(300/60) 30 30/10 10 0.3/0.5
    КТ501Д 40-120/30 5 50/10 100/0.5         0.4(300/60) 30 30/10 10 0.3/0.5
    КТ501Е 80-240/30 5 50/10 100/0.5         0.4(300/60) 30 30/10 10 0.3/0.5
    КТ501Ж 20- 60/30 5 50/10 100/0.5         0.4(300/60) 45 45/10 20 0.3/0.5
    КТ501И 40-120/30 5 50/10 100/0.5         0.4(300/60) 45 45/10 20 0.3/0.5
    КТ501К 80-240/30 5 50/10 100/0.5         0.4(300/60) 45 45/10 20 0.3/0.5
    КТ501Л 20- 60/30 5 50/10 100/0.5         0.4(300/60) 60 60/10 20 0.3/0.5
    КТ501М 40-120/30 5 50/10 100/0.5     0.4(300/60) 60 60/10 20 0.3/0.5 0.35/ PNP
    КТ502А 40-120/10 5 50/10 100/0.5     0.6(100/5) 40 25/ 5 0.15/0.3 0.35/ PNP
    КТ502Б 80-240/10 5 50/10 100/0.5         0.6(100/5) 40 25/ 5 0.15/0.3
    КТ502В 40-120/10 5 50/10 100/0.5         0.6(100/5) 60 40/ 5 0.15/0.3
    КТ502Г 80-240/10 5 50/10 100/0.5         0.6(100/5) 60 40/ 5 0.15/0.3
    КТ502Д 40-120/10 5 50/10 100/0.5         0.6(100/5) 80 60/ 5 0.15/0.3
    КТ502Е 40-120/10 5 50/10 100/0.5     0.6(100/5) 90 80/ 5 0.15/0.3 0.35/ PNP
    КТ503А 40-120/10 5 50/10 100/0.5   1 0.6(100/5) 40 25/ 5 0.15/0.3 0.35/ NPN
    КТ503Б 80-240/10 5 50/10 100/0.5     1 0.6(100/5) 40 25/ 5 0.15/0.3 0.35/
    КТ503В 40-120/10 5 50/10 100/0.5     1 0.6(100/5) 60 40/ 5 0.15/0.3 0.35/
    КТ503Г 80-240/10 5 50/10 100/0.5     1 0.6(100/5) 60 40/ 5 0.15/0.3 0.35/
    КТ503Д 40-120/10 5 50/10 100/0.5     1 0.6(100/5) 80 60/ 5 0.15/0.3 0.35/
    КТ503Е 40-120/10 5 50/10 100/0.5   1 0.6(100/5) 100 80/ 5 0.15/0.3 0.35/ NPN
  • Условные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов: КТ501-2Т509

    Обозначение: Параметр
    B1-B2/Iк /мА статический коэффициент передачи тока
    Fт МГц предельная частота коэффициента передачи тока
    Cк/Uк пф/В емкость коллекторного перехода (Cк) и напряжение на коллекторе (Uк), при котором она измеряется
    Cэ/Uэ пф/В емкость эмиттерного перехода (Cэ) и напряжение эмиттер/база (Uэ), при котором она измеряется
    Rб*Cк псек постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
    Iко мкА обратный ток коллектора
    Uкб В максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
    Uкэ/(Iк/Iб) В/(мА/мА) напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Uкэ) биполярного транзистора при заданном токе коллектора (Iк) и заданном токе базы (Iб)
    Uкэ/R В/кОм максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) при заданной величине сопротивления, включенного между базой и эмиттером (R)
    Uэб В максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
    Iкм/Iкн А/А предельно допустимый постоянный (Iкм) ток коллектора предельно допустимый ток коллектора в режиме насыщения (Iкн)или в импульсе
    Pк/Pт Вт/Вт максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе без теплоотвода (Pк) и с теплоотводом (Pт).
    Пер  

    * Если приводится два значения параметра через черточку, это означает минимальное и максимальное значение.
    Значение со звездочкой (*) приводится для импульсного режима.
    Параметр, помеченный буквой "т" означают, что приводится типовое значение.
  • Область применения биполярных транзисторов: КТ501-2Т509

    Биполярный транзистор – полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов. В отличие от полевого (униполярного) транзистора, в работе биполярного транзистора участвуют два типа носителей заряда – это электроны и дырки. Такой транзистор имеет три электрода: база - подключённый к центральному слою, коллектор и эмиттер, подключенные к внешним слоям.