Биполярные транзисторы КТ701-КТ729

Справочная информация о биполярных транзисторах серии КТ701-КТ729 с иллюстрациями и подробными характеристиками

  • Технические характеристики биполярных транзисторов КТ701-КТ729

    Транзистор B1-B2/Iк

    МГц
    Cк/Uк
    пф/В
    Cэ/Uэ
    пф/В
    Uкэ/(Iк/Iб)
    В/(А/А)
    Uкб
    В
    Uкэ/R
    В/Ом
    Uэб
    В
    Iкм/Iкн
    А/А
    Iбм
    А
    Pк/Pт
    Вт/Вт
    Rпк
    C/Вт
    Пер
    2Т708А 500-/2 3     2(2/0.01) 100 100/1к 5 2.5/5 0.1 0.7/5   PNP
    2Т708Б 750-/2 3         2(2/0.01) 80 80/1к 5 2.5/5 0.1 0.7/5
    2Т708В 750-/2 3     2(2/0.01) 60 60/1к 5 2.5/5 0.1 0.7/5   PNP
    2Т709А 500-/5 3 230/5 460/0.5 2(2/0.02) 100 100/1к 5 10/20 0.2 2/30 - PNP
    2Т709А2 500-/5 3 250/5 1000/0.5 2(2/0.02) 100 100/1к 5 10/20 0.2 1/30 4 PNP
    2Т709Б 750-/5 3 230/5 460/0.5 2(2/0.02) 80 80/1к 5 10/20 0.2 2/30 - PNP
    2Т709Б2 750-/5 3 250/5 1000/0.5 2(2/0.02) 80 80/1к 5 10/20 0.2 1/30 4 PNP
    2Т709В 750-/5 3 230/5 460/0.5 2(2/0.02) 60 60/1к 5 10/20 0.2 2/30 - PNP
    2Т709В2 750-/5 3 250/5 1000/0.5 2(2/0.02) 60 60/1к 5 10/20 0.2 1/30 4 PNP
    2Т713А 5-20/1.5 1.5     1(1.5/1.5)   2500/10 6 3/3 3 /50   NPN
    2Т716А 750-30000/5 6 150/5 350/0.5 2(5/0.02) 100 100/1к 5 10/20 0.2 2/30 0.24 NPN
    2Т716А1 500-30000/5 6 150/5 350/0.5 2(5/0.02) 100 100/1к 5 10/20 0.2 1/30 0.24 NPN
    2Т716Б 750-30000/5 6 150/5 350/0.5 2(5/0.02) 80 80/1к 5 10/20 0.2 2/30 0.24 NPN
    2Т716Б1 750-30000/5 6 150/5 350/0.5 2(5/0.02) 80 80/1к 5 10/20 0.2 1/30 0.24 NPN
    2Т716В 750-30000/5 6 150/5 350/0.5 2(5/0.02) 60 60/1к 5 10/20 0.2 2/30 0.24 NPN
    2Т716В1 750-30000/5 6 150/5 350/0.5 2(5/0.02) 60 60/1к 5 10/20 0.2 1/30 0.24 NPN
    2Т718А 20-/         400 400   10/12   /200   NPN
    2Т718Б 20-/         300 300   10/12   /200   NPN
    ГТ701А 10-/5 0.05       55 55/ 15 12/   /50 1.2 PNP
    ГТ702А 15-100/30 0.12     0.6(30/3) 60 60/ 4 30/ 5 5/150 0.3 PNP
    ГТ702Б 15-100/30 0.12         0.6(30/3) 60 60/ 4 30/ 5 5/150
    ГТ702В 20-/30 0.12     0.6(30/3) 60 40/ 4 30/ 5 5/150 0.3 PNP
    ГТ703А 30- 70/0.05       0.6(3/0.2)   20/50   3.5/   1.6/15 3 PNP
    ГТ703Б 50-100/0.05             0.6(3/0.2)     20/50    
    ГТ703В 30- 70/0.05             0.6(3/0.2)     30/50    
    ГТ703Г 50-100/0.05             0.6(3/0.2)     30/50    
    ГТ703Д 20- 45/0.05       0.6(3/0.2)   40/50   3.5/   1.6/15 3 PNP
    ГТ705А 30- 70/0.05       1(1.5/0.1)   20/50   3.5/   /15   NPN
    ГТ705Б 50-100/0.05             1(1.5/0.1)     20/50    
    ГТ705В 30- 70/0.05             1(1.5/0.1)     30/50    
    ГТ705Г 50-100/0.05             1(1.5/0.1)     30/50    
    ГТ705Д 90-250/0.05       1(1.5/0.1)   20/50   3.5/   /15   NPN
    КТ704А 10-100/1 3     5(2.5/1.5)   500/10 4 2.5/4 2 /15 5 NPN
    КТ704Б 10-100/1 3         5(2.5/1.5)     400/10 4 2.5/4 2
    КТ704В 10-/1 3     5(2.5/1.5)   400/10 4 2.5/4 2 /15 5 NPN
    КТ710А 3.5-/4       3.5(4/3) 3000 3000/10 5 5/7.5   /50   NPN
    КТ712А 500-10000/2 3     2(2/0.01) 200 200/100 5 10/15 0.1 1.5/50   PNP
    КТ712Б 400-10000/2 3     2(2/0.01) 160 160/100 5 10/15 0.1 1.5/50   PNP
    КТ715А 15-/2 0.45     3(0.2/.05 5000     2/2 2 /75   NPN
    КТ719А 20-275/0.15 3 60/5 75/0.5 0.6(0.5/.05) 120 120/100 5 1.5/3 0.5 1/10   NPN
    КТ720А 20-275/0.15 3 60/5 75/0.5 0.6(0.5/.05) 120 120/100 5 1.5/3 0.5 1/10   PNP
    КТ721А 20-/1 3 60/10 115/0.5 0.6(1/0.1) 120 120/100 5 3/6 1 1/25   NPN
    КТ722А 20-/1 3 60/10 115/0.5 0.6(1/0.1) 120 120/100 5 3/6 1 1/25   PNP
    КТ723А 20-/5 3     4(15/3) 120 120/100 5 10/15 3 1.5/60   NPN
    КТ724А 20-/5 3     4(15/3) 120 120/100 5 10/15 3 1.5/60   PNP
    КТ728А     6         70 ?/   15/   /115  
    КТ729А     6         70 ?/   15/   /115  
  • Условные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов: КТ701-КТ729

    Обозначение: Параметр
    B1-B2/Iк /А статический коэффициент передачи тока
    Fт МГц предельная частота коэффициента передачи тока
    Cк/Uк пф/В емкость коллекторного перехода (Cк) и напряжение на коллекторе (Uк), при котором она измеряется
    Cэ/Uэ пф/В емкость эмиттерного перехода (Cэ) и напряжение эмиттер/база (Uэ), при котором она измеряется
    Uкэ/(Iк/Iб) В/(А/А) напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Uкэ) биполярного транзистора при заданном токе коллектора (Iк) и заданном токе базы (Iб)
    Uкб В максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
    Uкэ/R В/Ом максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) при заданной величине сопротивления, включенного между базой и эмиттером (R)
    Uэб В максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
    Iкм/Iкн А/А предельно допустимый постоянный (Iкм) ток коллектора предельно допустимый ток коллектора в режиме насыщения (Iкн)или в импульсе
    Iбм А предельно допустимый постоянный ток базы
    Pк/Pт Вт/Вт максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе без теплоотвода (Pк) и с теплоотводом (Pт).
    Rпк C/Вт тепловое сопротивление перехода коллектор-корпус транзистора
    Пер  

    * Если приводится два значения параметра через черточку, это означает минимальное и максимальное значение.
    Значение со звездочкой (*) приводится для импульсного режима.
    Параметр, помеченный буквой "т" означают, что приводится типовое значение.
  • Область применения биполярных транзисторов: КТ701-КТ729

    Биполярный транзистор – полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов. В отличие от полевого (униполярного) транзистора, в работе биполярного транзистора участвуют два типа носителей заряда – это электроны и дырки. Такой транзистор имеет три электрода: база - подключённый к центральному слою, коллектор и эмиттер, подключенные к внешним слоям.