Биполярные сборки и пары

Справочная информация о биполярных сборках и парах с иллюстрациями и подробными характеристиками

  • Технические характеристики биполярных сборок и пар

    Транзистор B1-B2/Iк
    /мА

    МГц
    Cк/Uк
    пф/В
    Cэ/Uэ
    пф/В

    нс
    Uкэ/(Iк/Iб)
    В/(мА/мА)
    Uсм
    мВ
    B1/B2 Iко
    мкА
    Uкб
    В
    Uкэ/R
    В/Ом
    Uэб
    В
    Iкм/Iкн
    мА/мА

    мВт
    Пер
    1129НТ1В 80-360/   3/         0.01 15 13/ 4 10/40 75    
    1133НТ1А 100-350/       0.2 3     15 15/ 4 10/30 100 NPN  
    1133НТ1Б 100-350/       0.2 10     15 15/ 4 10/30 100 NPN  
    1133НТ5А 100-350/       0.5 5   0.07 15 15/ 4 10/30 120 PNP  
    1133НТ5Б 100-350/       0.5 5     30 30/ 4 10/30 120 PNP  
    159НТ101А 30-90/1 250 3/ 4/   3 0.9 0.01 20   4 10/40 75 NPN  
    159НТ101Б 60-180/1 250 3/ 4/     3 0.9 0.01 20     4 10/40 75
    159НТ101В 80-/0.05 250 3/ 4/   3 0.92 0.01 20   4 10/40 75 NPN  
    159НТ1А 20-80/3 200 4/5 5/1   3 0.85   20 20/ 4 10/40 50 NPN  
    159НТ1Б 60-180/3 200 4/5 5/1     3 0.85     20 20/ 4 10/40 50
    159НТ1В 80-/0.05 200 4/5 5/1     3 0.85     20 20/ 4 10/40 50
    159НТ1Г 20-80/3 200 4/5 5/1     - 0.75     20 20/ 4 10/40 50
    159НТ1Д 60-180/3 200 4/5 5/1     15 0.75     20 20/ 4 10/40 50
    159НТ1Е 80-/0.05 200 4/5 5/1   15 0.75   20 20/ 4 10/40 50 NPN  
    198НТ1А 20-100/0.5 150     0.7(3/0.5) 5 0.85 0.1 15 15/0.4 4 10/30 80 NPN  
    198НТ1Б 60-250/0.5 150     0.7(3/0.5) 5 0.85 0.1 15 15/0.4 4 10/30 80 NPN  
    198НТ2А 20-100/0.5 150     0.7(3/0.5) 5 0.85 0.1 15 15/0.4 4 10/30 80 NPN  
    198НТ2Б 60-250/0.5 150     0.7(3/0.5) 5 0.85 0.1 15 15/0.4 4 10/30 80 NPN  
    198НТ3А 20-100/0.5 150     0.7(3/0.5)     0.1 15 15/0.4 4 10/30 80 NPN  
    198НТ3Б 60-250/0.5 150     0.7(3/0.5)     0.1 15 15/0.4 4 10/30 80 NPN  
    198НТ4А 20-100/0.5 150     0.7(3/0.5)     0.1 15 15/0.4 4 10/30 80 NPN  
    198НТ4Б 60-250/0.5 150     0.7(3/0.5)     0.1 15 15/0.4 4 10/30 80 NPN  
    198НТ5А 20-100/0.5 150 5/3 5/1 1(3/0.5) 10 0.85 0.5 20 15/0.4 4 10/30 80 PNP  
    198НТ5Б     60-300/0.5 150 5/3 5/1 1(3/0.5) 10 0.85 0.5 20 15/0.4 4 10/30 80
    198НТ6А 20-100/0.5 150 5/3 5/1 1(3/0.5) 4 0.85 0.5 20 15/0.4 4 10/30 80 PNP  
    198НТ6Б 60-300/0.5 150 5/3 5/1 1(3/0.5) 4 0.85 0.5 20 15/0.4 4 10/30 80 PNP  
    198НТ7А 20-100/0.5 150 5/3 5/1 1(3/0.5)     0.5 20 15/0.4 4 10/30 80 PNP  
    198НТ7Б 60-300/0.5 150 5/3 5/1 1(3/0.5)     0.5 20 15/0.4 4 10/30 80 PNP  
    198НТ8А 20-100/0.5 150 5/3 5/1 1(3/0.5)     0.5 20 15/0.4 4 10/30 80 PNP  
    198НТ8Б 60-300/0.5 150 5/3 5/1 1(3/0.5)     0.5 20 15/0.4 4 10/30 80 PNP  
  • Условные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов:

    Обозначение: Параметр
    B1-B2/Iк /мА статический коэффициент передачи тока
    Fт МГц предельная частота коэффициента передачи тока
    Cк/Uк пф/В емкость коллекторного перехода (Cк) и напряжение на коллекторе (Uк), при котором она измеряется
    Cэ/Uэ пф/В емкость эмиттерного перехода (Cэ) и напряжение эмиттер/база (Uэ), при котором она измеряется
    tр нс  
    Uкэ/(Iк/Iб) В/(мА/мА) напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Uкэ) биполярного транзистора при заданном токе коллектора (Iк) и заданном токе базы (Iб)
    Uсм мВ напряжение смещения нуля при дифференциальном включении транзисторов сборки
    B1/B2 соотношение статических коэффициентов передачи тока биполярных транзисторов в сборке. Характеризует идентичность транзисторов
    Iко мкА обратный ток коллектора
    Uкб В максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
    Uкэ/R В/Ом максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) при заданной величине сопротивления, включенного между базой и эмиттером (R)
    Uэб В максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
    Iкм/Iкн мА/мА предельно допустимый постоянный (Iкм) ток коллектора предельно допустимый ток коллектора в режиме насыщения (Iкн)или в импульсе
    Pк мВт максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе
    Пер  

    * Если приводится два значения параметра через черточку, это означает минимальное и максимальное значение.
    Значение со звездочкой (*) приводится для импульсного режима.
    Параметр, помеченный буквой "т" означают, что приводится типовое значение.
  • Область применения биполярных транзисторов:

    Биполярный транзистор – полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов. В отличие от полевого (униполярного) транзистора, в работе биполярного транзистора участвуют два типа носителей заряда – это электроны и дырки. Такой транзистор имеет три электрода: база - подключённый к центральному слою, коллектор и эмиттер, подключенные к внешним слоям.